V databáze populárneho benchmarku Geekbench 5 sa objavil prvý výsledok základného modelu budúceho vlajkového radu Samsungu Galaxy S23. Telefón nesie označenie SM-S911U, čo by mala byť jeho americká verzia, a testovaný bol podľa všetkého s budúcim vlajkovým čipom Qualcommu Snapdragon 8 Gen2.
Galaxy S23 v teste jedného jadra získal 1524 bodov, vo viacjadrovom potom 4597 bodov. Pre porovnanie: Galaxy S22 s čipom Snapdragon 8 Gen 1 dosiahol okolo 1200, resp. 3200 bodov, zatiaľ čo zariadenia s aktuálnym vlajkovým čipom Qualcommu Snapdragon 8+ Gen 1 získavajú obvykle okolo 1300, resp. 4200 bodov.
Fotogaléria
Z testu tiež vyplýva, že Galaxy S23 bude disponovať 8 GB operačnej pamäte (teda rovnako ako Galaxy S22), že softvérovo ho bude neprekvapivo poháňať Android 13 a že o grafické operácie sa bude starať čip Adreno 740 (čipy Snapdragon 8 Gen 1 a 8+ Gen 1 používajú Adreno 730).
Mohlo by vás zaujímať
Podľa doterajších únikov bude mať Galaxy S23 o niečo vyššia kapacitu batérie ako predchodca a (rovnako ako ostatné modely radu) prakticky rovnaké rozmery aj rovnakú veľkosť displeja. Rad bude podľa všetkého predstavený v januári alebo februári budúceho roka.
