Polovodičová divízia Samsung Foundry oznámila, že vo svojej továrni v Hwasongu začala výrobu 3nm čipov. Na rozdiel od predchádzajúcej generácie, ktorá používala technológiu FinFet, teraz kórejský gigant používa tranzistorovú architektúru GAA (Gate-All-Around), ktorá významne zvyšuje energetickú efektivitu.
3nm čipy s architektúrou MBCFET (Multi-Bridge-Channel) GAA získajú vyššiu energetickú účinnosť okrem iného znížením napájacieho napätia. Samsung tiež používa nanoplátové tranzistory v polovodičových čipoch pre vysoko výkonné smartfónové čipsety.
Fotogaléria
Oproti technológii nanodrôtov umožňujú nanopláty so širšími kanálmi vyšší výkon a lepšiu efektivitu. Úpravou šírky nanoplátov môžu klienti Samsungu prispôsobiť výkon a spotrebu energie svojim potrebám.
Mohlo by vás zaujímať
V porovnaní s 5nm čipmi majú tie nové podľa Samsungu o 23% vyšší výkon, o 45% nižšiu spotrebu energie ao 16% menšiu plochu. Ich 2. generácia má potom ponúknuť o 30 % lepší výkon, o 50 % vyššiu efektivitu ao 35 % menšiu plochu.
„Samsung rýchlo rastie, pretože naďalej preukazujeme vedúce postavenie v aplikácii technológií novej generácie vo výrobe. Snažíme sa v tomto vedení pokračovať s prvým 3nm procesom s architektúrou MBCFETTM. Budeme pokračovať v aktívnych inováciách v konkurenčnom technologickom vývoji a vytvárať procesy, ktoré pomáhajú urýchliť dosiahnutie vyspelosti technológie,“ uviedol šéf polovodičového biznisu Samsungu Siyoung Choi.
