Zavrieť reklamu

Nový vlajkový čipset Samsungu Exynos 2100 si pripísať cenný „zárez“ – v teste skúmajúcom rýchlosť vybíjania batérie porazil špičkový čip Qualcommu Snapdragon 888. Vykonal ho rešpektovaný technologický YouTube kanál PBKreviews.

Test prebehol na dvoch smartfónoch Galaxy S21Ultra, kedy jeden bežal na Exynose 2100 a druhý na Snapdragone 888. Počas testu, ktorý trval pol hodiny, mali obidve čipové varianty na maximum „vyšponovanú“ úroveň jasu a vypnutú funkciu adaptívneho jasu aj ďalšiu batériu šetriacu funkcie.

Výsledok? V „nádrži“ Exynosu 2100 po 30 minútach zostávalo 89 % „šťavy“, zatiaľ čo pri Snapdragone 888 to bolo o dva percentuálne body menej. Okrem toho čip Samsungu menej „kúril“ – na konci testu bola jeho teplota 40,3 °C, zatiaľ čo čip Qualcommu bol zahriaty na teplotu 42,7 °C.

Slová Samsungu, že Exynos 2100 bude výrazne energeticky úspornejšie ako jeho predchodca Exynos 990, teda podľa všetkého neboli plané. To napokon dokazuje aj benchmark SPECint2006, ktorý meria výkon a energetickú efektivitu procesorových jadier čipov. Hlavné jadro Exynosu 2100 bolo v porovnaní s hlavným jadrom Exynosu 990 o 22 % výkonnejšie ao 34 % energeticky efektívnejšie. Exynos 2100 je tiež výkonnejší a energeticky efektívnejší ako čipy Snapdragon 865+ a Kirin 9000, zaostáva len za Snapdragonom 888, aj keď rozdiel medzi oboma čipmi nie je nijako veľký.

Dnes najčítanejšie

.