Praha 20. marca 2015 – Spoločnosť Samsung Electronics Co., Ltd., svetový líder v oblasti vyspelých pamäťových technológií, predstavuje vysoko výkonné 128GB 3bit NAND úložisko pre mobilné zariadenia, ktoré je založené na technológii Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Vlajkové lode medzi smartfónmi už prechádzajú na 128GB pamäťové úložiská na štandardoch Universal Flash Storage (UFS) 2.0 alebo EMMC 5.1. Rovnako tak aj smartfóny strednej kategórie budú teraz môcť zvýšiť svoju kapacitu na 128 GB vďaka novému úložisku Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Tento pamäťový čip má najväčšiu kapacitu v rámci štandardu eMMC 5.0.
„Očakávame, že uvedením našej série 3bit eMMC 5.0 na báze NAND, sa dostaneme do vedenia v expanzii vysokokapacitných mobilných úložísk. Pokračujeme v rozvoji našej ponuky mobilných pamätí s vylepšeným výkonom a vyššou kapacitou, ktorá uspokojí rastúci dopyt zákazníkov naprieč celým odvetvím mobilných telefónov,“ povedal Dr. Jung-Bae Lee, senior viceprezident tímu Memory Product Planning and Application Engineering v spoločnosti Samsung Electronics.
Sekvenčné čítanie dát nového 128GB eMMC 5.0 úložisko od spoločnosti Samsung prebieha rýchlosťou 260 MB / s. Ide o rovnaký výkon ako v prípade pamäte MLC eMMC 5.1 na báze NAND. Náhodný výkon čítania a zápisu je 6000 IOPS, resp. 5000 IOPS, čo je dostačujúca rýchlosť pre podporu videí s vysokým rozlíšením a pre pokročilé multitaskingové funkcie. V porovnaní s externými pamäťovými kartami sú tieto rýchlosti čítania a zápisu približne 4krát a 10-krát vyššia.
Nová séria 3bit pamäťových úložísk eMMC 5.0 rozširuje oblasť podnikania spoločnosti Samsung z dodania SSD diskov pre dátové centrá, servery a počítače až na celý trh mobilných pamäťových úložísk. Samsung bude aj naďalej pokračovať v zavádzaní 3-bitovej NAND Flash pamätí prostredníctvom rozvoja výkonných a vysokokapacitných riešení, rovnako ako bude naďalej pokračovať v posilňovaní konkurencieschopnosti svojho podnikania v oblasti pamäťových technológií.
//
//
